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VF526DT数据手册

VF526DTVF526DT


概述

该 VF526DT 双极锁存、双霍尔效应数字式位置传感器配备两个霍尔感应元件,位于距单集成电路芯片 1,4 mm [0.055 in] 处。元件被封装在热固性成型材料中。

两个主动式的锁存式霍尔传感器指示出越过封装表面的磁场梯度的速度和方向,如旋转环形磁铁的梯度。

小巧的 4 针 SOT-89B 式封装,可在印刷电路板上和柔性电路中进行表面安装。VF526DT 内置温度补偿旨在用于匹配温度系数,其适用于可靠、低成本和传感磁性要求应用。

独特的稳压电路可提供极其稳定的电源电压,范围3.4 Vdc 至 24 Vdc。该电路可直接与多种电子元件接入,无需缓冲或补偿电路。


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