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MT6325-L
2022-02-17
描述:MT6325-L采用单芯片集成工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了AMR桥组和ASIC芯片。1.8V~5.5V工作电压,1uA超低功耗,并且具有优良的温度补偿能力,使得芯片能工作在-40~125℃环境中,并保...
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MT8831
2022-02-17
描述:MT8831采用CMOS工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。1.6V~5.0V工作电压,1.7uA超低功耗,并且具有优良的温度补偿能力,是的芯片能工作在-40~85℃环境中,并保持优良的性能以及...
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MT8633
2022-02-17
描述:MT8633采用CMOS工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。2V~5.5V工作电压,1uA超低功耗,并且具有优良的温度补偿能力,使得芯片能工作在-40~125℃环境中,并保持优良的性能以及一致性...
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MT8631
2021-03-09
描述:MT8631采用CMOS工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。2V~5.5V工作电压,1uA超低功耗,并且具有优良的温度补偿能力,是的芯片能工作在-40~125℃环境中,并保持优良的性能以及一致性...
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MT8651
2021-03-09
描述:MT8651采用CMOS工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。2V~5.5V工作电压,1uA超低功耗,并且具有优良的温度补偿能力,是的芯片能工作在-40~125℃环境中,并保持优良的性能以及一致性...
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MT8632
2021-03-09
描述:MT8632采用CMOS工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。2V~5.5V工作电压,1uA超低功耗,并且具有优良的温度补偿能力,是的芯片能工作在-40~125℃环境中,并保持优良的性能以及一致性...
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MT8652
2021-03-09
描述:MT8652采用CMOS工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。2V~5.5V工作电压,1uA超低功耗,并且具有优良的温度补偿能力,是的芯片能工作在-40~125℃环境中,并保持优良的性能以及一致性...
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MT8553
2021-03-09
描述:MT8553采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(3.0V~24V),以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力,25KHz的采样频率。并且具有优良的温度补偿能力,是的...
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MT8552
2021-03-09
描述:MT8551采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(3.0V~24V),以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力,25KHz的采样频率。并且具有优良的温度补偿能力,是的...
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MT8551
2021-03-09
描述:MT8551采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(3.0V~24V),以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力,25KHz的采样频率。并且具有优良的温度补偿能力,使芯...
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