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MT8511Status:2019 Q1
MT6134描述:MT6134采用单芯片集成工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了AMR桥阻与ASIC芯片。1.65V~5.5V工作电压,并且具有优良的温度补偿能力,是的芯片能工作在-40~125℃环境中,并保持优良的性能以及一致性。特征:- 全极开关- 平面360度感应- 工作电压 1.8V~5.5V- 环境工作温度 -40~125℃- 开漏输出- 1KHz采样频率- 灵敏度高参数MT6134Bop (25℃)±18 GsBrp (25℃)±13 GsBhyst (25℃)5 Gs目标应用汽车,工业封装形式SOT-23MT6134 Datasheet
MT6133描述:MT6133采用单芯片集成工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了AMR桥阻与ASIC芯片。1.65V~5.5V工作电压,并且具有优良的温度补偿能力,是的芯片能工作在-40~125℃环境中,并保持优良的性能以及一致性。特征:- 全极开关- 平面360度感应- 工作电压 1.8V~5.5V- 环境工作温度 -40~125℃- 开漏输出- 20Hz采样频率- 灵敏度高参数MT6133Bop (25℃)±18 GsBrp (25℃)±13 GsBhyst (25℃)5 Gs目标应用汽车,工业封装形式SOT-23MT6133 Datasheet
MT6132描述:MT6132采用单芯片集成工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了AMR桥阻与ASIC芯片。1.65V~5.5V工作电压,并且具有优良的温度补偿能力,是的芯片能工作在-40~125℃环境中,并保持优良的性能以及一致性。特征:- 全极开关- 平面360度感应- 工作电压 1.8V~5.5V- 环境工作温度 -40~125℃- 推挽输出- 1KHz采样频率- 灵敏度高参数MT6132Bop (25℃)±18 GsBrp (25℃)±13 GsBhyst (25℃)5 Gs目标应用汽车,工业封装形式SOT-23MT6132 Datasheet
MT6131描述:MT6131采用单芯片集成工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了AMR桥阻与ASIC芯片。1.65V~5.5V工作电压,并且具有优良的温度补偿能力,是的芯片能工作在-40~125℃环境中,并保持优良的性能以及一致性。特征:- 全极开关- 平面360度感应- 工作电压 1.8V~5.5V- 环境工作温度 -40~125℃- 推挽输出- 20Hz采样频率- 灵敏度高参数MT6131Bop (25℃)±18 GsBrp (25℃)±13 GsBhyst (25℃)5 Gs目标应用汽车,工业封装形式SOT-23MT6131 Datasheet
MT8271描述:MT8271采用CMOS工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。1.7V~5.5V工作电压,1uA超低功耗,并且具有优良的温度补偿能力,是的芯片能工作在-40~85℃环境中,并保持优良的性能以及一致性。特征:- 全极开关- 工作电压 1.7V~5.5V- 1uA超低功耗- 环境工作温度 -40~85℃- 开漏输出,内置10K上拉电阻- 20Hz采样频率参数MT8271Bop (25℃)±17 GsBrp (25℃)±11 GsBhyst (25℃)6 Gs目标应用工业, 消费封装形式SOT-23, Flat TO-92MT8271 Datasheet
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