MT6132描述：MT6132采用单芯片集成工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了AMR桥阻与ASIC芯片。1.65V~5.5V工作电压，并且具有优良的温度补偿能力，是的芯片能工作在-40~125℃环境中，并保持优良的性能以及一致性。特征：- 全极开关- 平面360度感应- 工作电压 1.8V~5.5V- 环境工作温度 -40~125℃- 推挽输出- 1KHz采样频率- 灵敏度高参数MT6132Bop (25℃）±18 GsBrp (25℃）±13 GsBhyst (25℃）5 Gs目标应用汽车,工业封装形式SOT-23MT6132 Datasheet
MT6131描述：MT6131采用单芯片集成工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了AMR桥阻与ASIC芯片。1.65V~5.5V工作电压，并且具有优良的温度补偿能力，是的芯片能工作在-40~125℃环境中，并保持优良的性能以及一致性。特征：- 全极开关- 平面360度感应- 工作电压 1.8V~5.5V- 环境工作温度 -40~125℃- 推挽输出- 20Hz采样频率- 灵敏度高参数MT6131Bop (25℃）±18 GsBrp (25℃）±13 GsBhyst (25℃）5 Gs目标应用汽车,工业封装形式SOT-23MT6131 Datasheet
MT8271描述：MT8271采用CMOS工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。1.7V~5.5V工作电压，1uA超低功耗，并且具有优良的温度补偿能力，是的芯片能工作在-40~85℃环境中，并保持优良的性能以及一致性。特征：- 全极开关- 工作电压 1.7V~5.5V- 1uA超低功耗- 环境工作温度 -40~85℃- 开漏输出，内置10K上拉电阻- 20Hz采样频率参数MT8271Bop (25℃）±17 GsBrp (25℃）±11 GsBhyst (25℃）6 Gs目标应用工业, 消费封装形式SOT-23, Flat TO-92MT8271 Datasheet
MT8251描述：MT8251采用CMOS工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。1.7V~5.5V工作电压，1uA超低功耗，并且具有优良的温度补偿能力，是的芯片能工作在-40~125℃环境中，并保持优良的性能以及一致性。特征：- 全极开关- 工作电压 1.7V~5.5V- 1uA超低功耗- 环境工作温度 -40~125℃- 开漏输出- 20Hz采样频率参数MT8251Bop (25℃）±35 GsBrp (25℃）±25 GsBhyst (25℃）10 Gs目标应用工业, 消费封装形式SOT-23, Flat TO-92MT8251 Datasheet
MT8382描述：MT8382采用BCD工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压（3.8V~60V），以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力，200KHz的采样频率。并且具有优良的温度补偿能力，是的芯片能工作在-40~150℃环境中，并保持优良的性能以及一致性。特征：- 双极开关- 工作电压 3.8V~60V- -24V反压保护 & 过流保护- 环境工作温度 -40~150℃- 开漏输出，内置10K上拉电阻- 200KHz采样频率参数MT8382Bop (25℃）20 GsBrp (25℃）-20 GsBhyst (25℃）40 Gs目标应用汽车, 工业封装形式Flat TO-92，SOT-23, SOT-23 (Thin Outline)，SOT-89BMT8382 Datasheet
MT8381描述：MT8381采用BCD工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压（3.8V~60V），以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力，200KHz的采样频率。并且具有优良的温度补偿能力，是的芯片能工作在-40~150℃环境中，并保持优良的性能以及一致性。特征：- 双极开关- 工作电压 3.8V~60V- -24V反压保护 & 过流保护- 环境工作温度 -40~150℃- 开漏输出，内置10K上拉电阻- 200KHz采样频率参数MT8381Bop (25℃）45 GsBrp (25℃）-45 GsBhyst (25℃）90 Gs目标应用汽车, 工业封装形式Flat TO-92，SOT-23, SOT-23 (Thin Outline)，SOT-89BMT8381 Datasheet