MT6132描述:MT6132采用单芯片集成工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了AMR桥阻与ASIC芯片。1.65V~5.5V工作电压,并且具有优良的温度补偿能力,是的芯片能工作在-40~125℃环境中,并保持优良的性能以及一致性。特征:- 全极开关- 平面360度感应- 工作电压 1.8V~5.5V- 环境工作温度 -40~125℃- 推挽输出- 1KHz采样频率- 灵敏度高参数MT6132Bop (25℃)±18 GsBrp (25℃)±13 GsBhyst (25℃)5 Gs目标应用汽车,工业封装形式SOT-23MT6132 Datasheet
MT6131描述:MT6131采用单芯片集成工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了AMR桥阻与ASIC芯片。1.65V~5.5V工作电压,并且具有优良的温度补偿能力,是的芯片能工作在-40~125℃环境中,并保持优良的性能以及一致性。特征:- 全极开关- 平面360度感应- 工作电压 1.8V~5.5V- 环境工作温度 -40~125℃- 推挽输出- 20Hz采样频率- 灵敏度高参数MT6131Bop (25℃)±18 GsBrp (25℃)±13 GsBhyst (25℃)5 Gs目标应用汽车,工业封装形式SOT-23MT6131 Datasheet
MT8271描述:MT8271采用CMOS工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。1.7V~5.5V工作电压,1uA超低功耗,并且具有优良的温度补偿能力,是的芯片能工作在-40~85℃环境中,并保持优良的性能以及一致性。特征:- 全极开关- 工作电压 1.7V~5.5V- 1uA超低功耗- 环境工作温度 -40~85℃- 开漏输出,内置10K上拉电阻- 20Hz采样频率参数MT8271Bop (25℃)±17 GsBrp (25℃)±11 GsBhyst (25℃)6 Gs目标应用工业, 消费封装形式SOT-23, Flat TO-92MT8271 Datasheet
MT8251描述:MT8251采用CMOS工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。1.7V~5.5V工作电压,1uA超低功耗,并且具有优良的温度补偿能力,是的芯片能工作在-40~125℃环境中,并保持优良的性能以及一致性。特征:- 全极开关- 工作电压 1.7V~5.5V- 1uA超低功耗- 环境工作温度 -40~125℃- 开漏输出- 20Hz采样频率参数MT8251Bop (25℃)±35 GsBrp (25℃)±25 GsBhyst (25℃)10 Gs目标应用工业, 消费封装形式SOT-23, Flat TO-92MT8251 Datasheet
MT8382描述:MT8382采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(3.8V~60V),以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力,200KHz的采样频率。并且具有优良的温度补偿能力,是的芯片能工作在-40~150℃环境中,并保持优良的性能以及一致性。特征:- 双极开关- 工作电压 3.8V~60V- -24V反压保护 & 过流保护- 环境工作温度 -40~150℃- 开漏输出,内置10K上拉电阻- 200KHz采样频率参数MT8382Bop (25℃)20 GsBrp (25℃)-20 GsBhyst (25℃)40 Gs目标应用汽车, 工业封装形式Flat TO-92,SOT-23, SOT-23 (Thin Outline),SOT-89BMT8382 Datasheet
MT8381描述:MT8381采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(3.8V~60V),以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力,200KHz的采样频率。并且具有优良的温度补偿能力,是的芯片能工作在-40~150℃环境中,并保持优良的性能以及一致性。特征:- 双极开关- 工作电压 3.8V~60V- -24V反压保护 & 过流保护- 环境工作温度 -40~150℃- 开漏输出,内置10K上拉电阻- 200KHz采样频率参数MT8381Bop (25℃)45 GsBrp (25℃)-45 GsBhyst (25℃)90 Gs目标应用汽车, 工业封装形式Flat TO-92,SOT-23, SOT-23 (Thin Outline),SOT-89BMT8381 Datasheet