MT6133描述：MT6133采用单芯片集成工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了AMR桥阻与ASIC芯片。1.65V~5.5V工作电压，并且具有优良的温度补偿能力，是的芯片能工作在-40~125℃环境中，并保持优良的性能以及一致性。特征：- 全极开关- 平面360度感应- 工作电压 1.8V~5.5V- 环境工作温度 -40~125℃- 开漏输出- 20Hz采样频率- 灵敏度高参数MT6133Bop (25℃）±18 GsBrp (25℃）±13 GsBhyst (25℃）5 Gs目标应用汽车,工业封装形式SOT-23MT6133 Datasheet
MT6132描述：MT6132采用单芯片集成工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了AMR桥阻与ASIC芯片。1.65V~5.5V工作电压，并且具有优良的温度补偿能力，是的芯片能工作在-40~125℃环境中，并保持优良的性能以及一致性。特征：- 全极开关- 平面360度感应- 工作电压 1.8V~5.5V- 环境工作温度 -40~125℃- 推挽输出- 1KHz采样频率- 灵敏度高参数MT6132Bop (25℃）±18 GsBrp (25℃）±13 GsBhyst (25℃）5 Gs目标应用汽车,工业封装形式SOT-23MT6132 Datasheet
MT6131描述：MT6131采用单芯片集成工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了AMR桥阻与ASIC芯片。1.65V~5.5V工作电压，并且具有优良的温度补偿能力，是的芯片能工作在-40~125℃环境中，并保持优良的性能以及一致性。特征：- 全极开关- 平面360度感应- 工作电压 1.8V~5.5V- 环境工作温度 -40~125℃- 推挽输出- 20Hz采样频率- 灵敏度高参数MT6131Bop (25℃）±18 GsBrp (25℃）±13 GsBhyst (25℃）5 Gs目标应用汽车,工业封装形式SOT-23MT6131 Datasheet
MT8271描述：MT8271采用CMOS工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。1.7V~5.5V工作电压，1uA超低功耗，并且具有优良的温度补偿能力，是的芯片能工作在-40~85℃环境中，并保持优良的性能以及一致性。特征：- 全极开关- 工作电压 1.7V~5.5V- 1uA超低功耗- 环境工作温度 -40~85℃- 开漏输出，内置10K上拉电阻- 20Hz采样频率参数MT8271Bop (25℃）±17 GsBrp (25℃）±11 GsBhyst (25℃）6 Gs目标应用工业, 消费封装形式SOT-23, Flat TO-92MT8271 Datasheet